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前段几天有人发消息给OLEDindustry君

问题是：OLED是不是要比TFT技术好？

这就是OLEDindustry君和小编们看到这个问题时的表情

关于TFT，官方解释是薄膜场效应晶体管，通俗点说它就是像素单元发光的控制器件，有TFT-LCD，也有TFT-OLED，至于OLED和TFT，它们是不存在比较关系的。

TFT元件结构示意图

TFT-LCD

TFT液晶为每个像素都设有一个半导体开关，每个像素都可以通过点脉冲直接控制，因而每个节点都相对独立，并可以连续控制，不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶，所以TFT液晶的色彩更真。

因此，LCD的显示不再受行列电极数目的限制从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息。但是由于LCD设备不可避免的要使用背光源，导致其耗电量较高，并且在显示高亮度图片时，会出现屏幕发白（彩色化降低）的问题。

TFT驱动下，每个像素都具有存储效应，可以进行连续的驱动，且不受扫描电极数目的限制，这就提高了显示器的限制尺寸，由于可以对单个像素进行控制，因而容易实现高亮度与高分辨率。

LCD面板构造图

TFT-LCD驱动

TFT驱动OLED电路

AMOLED设备与TFT-LCD类似，也是每个像素点对应一个TFT开关，不同的是， OLED为电流驱动型，亮度与电流成正比，每个像素需要配备TFT进行开启、关闭的控制，还要作为像素发光的驱动电流的提供者，并且配备有电荷存储电容以提供持续的电流，像素与像素之间相对独立。

LCD和OLED的驱动方式LCD为电压型驱动，OLED为电流型驱动，所以二者在TFT的设计上有很大差别。

两管TFT驱动OLED电路

TFT制程

TFT面板前工程流程

Panel工程A Unit简介

A Unit的基本概念：

(a) 在CF基板上制作基板ID

(b) 决定TFT基板是以FULL SIZE或1/3size投入

(c) 将TFT及CF基板洗净

(d) 在TFT及CF基板上印刷PI液，使其形成配向膜

(e) 检查自动配向膜及硬化配向膜

(f) 对TFT及CF基板上的配向膜进行配向

A Unit制程流程示意图

TFT LINE及CF LINE共同装置

PI前洗基板洗净 / 干燥装置

1

WET(1)

流程 : 准备区 → 洗剂Brush → 纯水淋洗

2

WET(2)

WET(1)至WET(2) 有风刀清除WET(1)残存水分

a. 流程 : 纯水 US → 纯水 US → CJ → MS

b. 纯水US系使用两台超音波产生器 超音波震荡清除不洁

c. CJ : 使用高压水柱清除基板上之不洁

d. MS :使用超音波产生器 震荡清除不洁

3

风刀部

利用风切将水吹除

4

IR部

加热板 , 提供温度以干燥基板

5

UV部

消除有机物

6

CP部

以两枚冷却板通冷却水冷却

MS洗净原理

振动加速度作用

扩散作用

1

25℃下，音速C＝1500m/sec，以频率f＝1MHz，λ/2=0.75mm。

2

产生cavitation音波强度之最低限度W≧100W/cm2。

3

超音波在1MHz产生之加速度为重力加速度之100000倍。

Cavitation Jet洗净原理

PI转写工程

PI转写就是属于A-UNIT主要的作用是在玻璃基板上形成。

配向膜经过配向工程产生液晶分子所需之预倾角。

配向膜制作的方法:

1. PI液印刷

2. 配向工程

印刷的方式:PI经由A轮转印到P轮的凸版上，再经由凸版均匀的将PI液涂布在基板上。

对配向膜材料的要求

预倾角

为何需要预倾角?

B Unit制程

框胶相关工程

CF LINE工程

框胶涂布工程

使用dispenser方式涂布,dispenser优点不外乎主要有避免与基板接触(可避免网痕)，框胶使用时间可以延长，Pttern变更容易，大基板精度佳等。

目的:

在于提供上下基板的结合应力，并使液晶注入后不致外泄。

材料:

框胶(在150℃左右硬化的热固性环氧树脂)以及框胶间隔剂(硬质的glass fiber)，框胶间隔剂分为球状及杆状的，杆状的较为便宜,为目前使用的主流。因为STN对于cell gap的均匀度要求较高，球状者为STN使用。

制程机能：

涂布时间170秒/4台

涂布速度20~50mm/秒

断面积测定范围±150um

断线检查机为同轴落射照明

干燥炉温度 max1500 ± 30

框胶搅拌脱泡机

框胶预烤炉：以加热板方式加热基板之炉子，再来为冷却板，乃以水冷方式冷却预烤后基板。

B-UNIT主要不良

框胶不良：

框胶在注入口对面两角破裂，主要发生于热压着时，挤压pattern内空气，造成air冲出所致，4面取时较易发生。又称之为” Seal Puncture”。

面内异物：

主要有spacer凝集以及从手套、胶带、卡匣等物品上掉落至基板上造成。

压着偏移：

因热应力造成基板弯曲变形，使其后工程stage真空吸着不良。此外，亦有因压着造上下基板偏移，产生漏光情形。

里面异物：

stage上沾附异物，使得加压时局部压力变大，造成spacer滑移，而在PI膜上留下痕迹。不点灯时看似精子状之亮点，点灯时乃微微之白点。因其状像萤火虫。又称之为”荧光不良”。

LCD 和OLED 应用的TFT技术包括非晶硅TFT 、有机薄膜TFT和LTPS-TFT。

非晶硅TFT的应用中有许多问题和优势，非晶硅制作的TFT像素驱动电路简单，屏幕开口率高，但是非晶硅的迁移率小，可提供电流小，因此在你驱动电路时，尤其是OLED器件，可驱动路数较小，因此不适用于大尺寸的器件，但是在小尺寸的器件中由于驱动的方便，因此比其他材料要占据一定优势。

在应用时，OLED和LCD的多晶硅TFT驱动类型不同，OLED为电流型，要求每个像素的驱动电流是一样的，但是由于多晶硅TFT的生长特点，每个TFT的阈值电压、载流子迁移率和串联电阻是不同的，导致其输出特性有很大的差异性。

而LCD器件为电压型，多晶硅的生长特性带来的区别对LCD的驱动影响要比OLED小的多，因此，低温多晶硅TFT-LCD更加实用。

有机薄膜TFT，有机TFT的出现，将对现有非晶硅TFT形成有力的竞争是不言而喻的。它将是新一代柔性显示的核心技术，使用柔性显示技术制造的显示屏可以像画布一样卷曲，并可能像液晶显示器一样成为未来显示器世界的重要一员。

由于使用有机材料，具有可弯曲显示的特点，因此不但耐冲击，而且重量轻、体积小。不仅改变了显示器的外观，应用环境也因此大为扩展且多样化。

采用类似于报纸印刷工艺的卷带工艺将显示器印刷在塑料薄膜片上，可极大地降低生产成本。 但是现有技术下制作的OTFT的载流子迁移率较低，稳定工作寿命较短，器件的稳定性较低。

LTPS-TFT技术：多晶硅的电子迁移率高达几百2厘米/（伏秒）。由于可将驱动IC集成在显示屏内，因此可降低IC成本，而且可提升成品率。

多晶硅技术可将周边驱动电路制作在玻璃基板上，与显示区域实现一体化，这样可以解决高密度引线的困难，且周边驱动电路的连接管脚较少，故接线的连接点较少，引起产生的缺陷率降低，增加了产品的可靠性。